Новая память Samsung ускорит смартфоны в два раза

Samsung объявила о создании накопителей стандарта UFS 3.0 для мобильных устройств. Ранее компания предлагала только память стандарта UFS 2.1, то есть менее быстрого.

Новые накопители выполнены соответствии о спецификациями Embedded Universal Flash Storage 3.0 (eUFS) и обеспечивают скорость чтения до 2100 Мбайт/с. Это в четыре раза выше, чем у типичного компьютерного SSD с интерфейсом SATA, и примерно в двадцать раз выше, чем у среднестатистической MicroSD-карты. Между тем скорость записи составляет 410 Мбайт/с, что тоже очень много.

Предыдущий топовый флеш-диск Samsung, представленный в январе, обеспечивает скорость чтения до 1000 Мбайт/с и записи до 260 Мбайт/с. Правда, он предлагается в том числе и в версии емкостью 1 Тбайт – именно она используется в самом дорогом варианте Samsung Galaxy S10+.

Линейка же новых дисков пока включает модели на 128 и 512 Гбайт. Впрочем, позже в этом году компания намерена создать аналогичные накопители на 256 Гбайт и 1 Тбайт.

Не исключено, что накопители стандарта UFS 3.0 будут применяться в смартфоне Samsung Galaxy Note 10, который должен увидеть свет в конце лета 2019 года.