Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы
Компания Samsung говорит, что 3-нм решения на 45% экономичнее и на 23% производительнее 5-нм, которые с настоящего момента относятся к предыдущему поколению.
Samsung Foundry объявила о начале массового производства чипов первого поколения на 3-нанометровом техпроцессе. Это первые чипы такого рода в мире.
Техпроцессе основан на новой архитектуре транзисторов GAA (Gate-All-Around), которая является следующим шагом после FinFET.
По сравнению с 5-нм чипами Samsung, новые 3-нм решения обеспечивают повышение производительности до 23%, снижение энергопотребления до 45% и уменьшение площади поверхности на 16%.
При этом отмечается, что грядущие 3-нм чипы второго поколения будут еще более впечатляющими – снижение энергопотребления достигает 50%, повышение производительности 30%, а площадь сократится на 35%.
Сетевые источники обращают внимание, что Samsung теперь опережает своего извечного конкурента компанию TSMC, которая, как ожидается, начнет массовое производство 3-нм чипов лишь во второй половине года.
Ваш комментарий
![273339Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы 273339Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы](https://beta.dgl.ru/wp-content/uploads/2024/02/jnaccfr74bqeqx4znyj7mm-1200-80.jpg-768x432.webp)
![273320Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы 273320Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы](https://beta.dgl.ru/wp-content/uploads/2024/02/qso8trbxjkm4hj8lplaa4r-1200-80.jpg-768x432.webp)
![271056Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы 271056Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы](https://beta.dgl.ru/wp-content/uploads/2023/12/geforce-shop-850-dl-2x-760x567-1.webp)
![270951Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы 270951Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы](https://beta.dgl.ru/wp-content/uploads/2023/12/mediatek-knocks-the-thermal-stress-test-that-throttled-the-dimensity-9300-soc-by-46-768x432.jpg)
да