Выпущены первые в мире 3-нанометровые чипы

Samsung Foundry объявила о начале массового производства чипов первого поколения на 3-нанометровом техпроцессе. Это первые чипы такого рода в мире.

Техпроцессе основан на новой архитектуре транзисторов GAA (Gate-All-Around), которая является следующим шагом после FinFET.

По сравнению с 5-нм чипами Samsung, новые 3-нм решения обеспечивают повышение производительности до 23%, снижение энергопотребления до 45% и уменьшение площади поверхности на 16%.

При этом отмечается, что грядущие 3-нм чипы второго поколения будут еще более впечатляющими – снижение энергопотребления достигает 50%, повышение производительности 30%, а площадь сократится на 35%.

Сетевые источники обращают внимание, что Samsung теперь опережает своего извечного конкурента компанию TSMC, которая, как ожидается, начнет массовое производство 3-нм чипов лишь во второй половине года.